STMicroelectronics 3-phasig A2U N-Kanal, Chassis SiC-Leistungsmodul 1.2 kV Erweiterung / 75 A, 8-Pin ACEPACK 2

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Schale mit 18 Stück)*

CHF 4'078.69

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
18 +CHF 226.594CHF 4'078.61

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
249-6719
Herst. Teile-Nr.:
A2U12M12W2-F2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

ACEPACK 2

Serie

A2U

Montageart

Chassis

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

18V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

298nC

Durchlassspannung Vf

2.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

3-phasig

Normen/Zulassungen

UL

Automobilstandard

AEC-Q101

Das STMicroelectronics-Leistungsmodul stellt einen Zweig einer T-Typ-3-Level-Inverter-Topologie dar, die die fortschrittliche Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Technologie integriert. Dieses Modul nutzt die innovativen Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke und eines Substrats mit hoher thermischer Leistung. Das Ergebnis ist ein außergewöhnlich niedriger Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit und ein hervorragendes Schaltverhalten, das praktisch unabhängig von der Temperatur ist.

3-Level-Topologie

ACEPACK 2 Leistungsmodul

13 mΩ typischer RDS(on) pro Schalter

Isolationsspannung UL-zertifiziert von 2,5 kVeff

Integrierter NTC-Temperatursensor

DBC auf Cu-Al2O3-Cu-Basis

Pressfit-Kontaktstifte

Ein NTC-Sensor vervollständigt das Design

Verwandte Links