STMicroelectronics 3-phasig A2U N-Kanal, Chassis SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 75 A, 8-Pin ACEPACK 2
- RS Best.-Nr.:
- 249-6719
- Herst. Teile-Nr.:
- A2U12M12W2-F2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 249-6719
- Herst. Teile-Nr.:
- A2U12M12W2-F2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | ACEPACK 2 | |
| Serie | A2U | |
| Montageart | Chassis | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 298nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2.9V | |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße ACEPACK 2 | ||
Serie A2U | ||
Montageart Chassis | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 298nC | ||
Durchlassspannung Vf 2.9V | ||
Transistor-Konfiguration 3-phasig | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das STMicroelectronics-Leistungsmodul stellt einen Zweig einer T-Typ-3-Level-Inverter-Topologie dar, die die fortschrittliche Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Technologie integriert. Dieses Modul nutzt die innovativen Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke und eines Substrats mit hoher thermischer Leistung. Das Ergebnis ist ein außergewöhnlich niedriger Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit und ein hervorragendes Schaltverhalten, das praktisch unabhängig von der Temperatur ist.
3-Level-Topologie
ACEPACK 2 Leistungsmodul
13 mΩ typischer RDS(on) pro Schalter
Isolationsspannung UL-zertifiziert von 2,5 kVeff
Integrierter NTC-Temperatursensor
DBC auf Cu-Al2O3-Cu-Basis
Pressfit-Kontaktstifte
Ein NTC-Sensor vervollständigt das Design
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