STMicroelectronics, Chassismontage SiC-Leistungsmodul 1200 V / 75 A ACEPACK 2

Das STMicroelectronics-Leistungsmodul stellt einen Zweig einer T-Typ-3-Level-Inverter-Topologie dar, die die fortschrittliche Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Technologie integriert. Dieses Modul nutzt die innovativen Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke und eines Substrats mit hoher thermischer Leistung. Das Ergebnis ist ein außergewöhnlich niedriger Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit und ein hervorragendes Schaltverhalten, das praktisch unabhängig von der Temperatur ist.

3-Level-Topologie
ACEPACK 2 Leistungsmodul
13 mΩ typischer RDS(on) pro Schalter
Isolationsspannung UL-zertifiziert von 2,5 kVeff
Integrierter NTC-Temperatursensor
DBC auf Cu-Al2O3-Cu-Basis
Pressfit-Kontaktstifte
Ein NTC-Sensor vervollständigt das Design