STMicroelectronics Einfach RF2L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung, 2-Pin B-2
- RS Best.-Nr.:
- 230-0088
- Herst. Teile-Nr.:
- RF2L36075CF2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.140.238
Nur noch Restbestände
- Letzte 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.140.24 |
| 2 - 4 | CHF.136.60 |
| 5 + | CHF.133.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 230-0088
- Herst. Teile-Nr.:
- RF2L36075CF2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Betriebsfrequenz | 3.5 GHz | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | B-2 | |
| Serie | RF2L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 3.61mm | |
| Länge | 20.57mm | |
| Breite | 19.44 mm | |
| Leistungsverstärkung typisch | 12.5dB | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Betriebsfrequenz 3.5 GHz | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße B-2 | ||
Serie RF2L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 3.61mm | ||
Länge 20.57mm | ||
Breite 19.44 mm | ||
Leistungsverstärkung typisch 12.5dB | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics RF2L36075CF2 ist ein intern angepasster 75-W-LDMOS-Transistor für Multicarrier-WCDMA/PCS/DCS/LTE-Basisstationen und S-Band-Radaranwendungen im Frequenzbereich von 3,1 bis 3,6 GHz. Er kann in Klasse AB, B oder C für alle typischen Mobilfunk-Basisstationsmodulationsformate verwendet werden.
Hoher Wirkungsgrad und lineare Verstärkungsvorgänge
Integrierter ESD-Schutz
Interne Eingangsanpassung für einfache Bedienung
Großer positiver und negativer Gate-Quelle-Spannungsbereich für verbesserten Betrieb der Klasse C.
Ausgezeichnete thermische Stabilität, geringe HCI-Drift
Verwandte Links
- STMicroelectronics Einfach RF2L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung, 2-Pin B-2
- STMicroelectronics Einfach RF2L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 65 V Erweiterung, 4-Pin B4E
- STMicroelectronics Einfach RF3L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 90 V Erweiterung, 5-Pin LBB
- STMicroelectronics Einfach SD2931 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 125 V Erweiterung / 20 A, 4-Pin M174
- STMicroelectronics Einfach LdmoST Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 5 A, 10-Pin PowerSO
- STMicroelectronics Einfach PD55003L-E Typ N-Kanal, Oberfläche HF MOSFET 40 V Erweiterung / 2.5 A, 14-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics ST8L60 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 39 A 202 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics ST8L65 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 650 V / 58 A 166 W, 5-Pin PowerFLAT
