STMicroelectronics Einfach RF2L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung, 2-Pin B-2

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.140.238

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1CHF.140.24
2 - 4CHF.136.60
5 +CHF.133.24

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
230-0088
Herst. Teile-Nr.:
RF2L36075CF2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Betriebsfrequenz

3.5 GHz

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

B-2

Serie

RF2L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Channel-Modus

Erweiterung

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

3.61mm

Breite

19.44 mm

Länge

20.57mm

Leistungsverstärkung typisch

12.5dB

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics RF2L36075CF2 ist ein intern angepasster 75-W-LDMOS-Transistor für Multicarrier-WCDMA/PCS/DCS/LTE-Basisstationen und S-Band-Radaranwendungen im Frequenzbereich von 3,1 bis 3,6 GHz. Er kann in Klasse AB, B oder C für alle typischen Mobilfunk-Basisstationsmodulationsformate verwendet werden.

Hoher Wirkungsgrad und lineare Verstärkungsvorgänge

Integrierter ESD-Schutz

Interne Eingangsanpassung für einfache Bedienung

Großer positiver und negativer Gate-Quelle-Spannungsbereich für verbesserten Betrieb der Klasse C.

Ausgezeichnete thermische Stabilität, geringe HCI-Drift

Verwandte Links