STMicroelectronics ST8L65 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 650 V / 58 A 166 W, 5-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 648-109
- Herst. Teile-Nr.:
- ST8L65N044M9
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | ST8L65 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 166W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.10 mm | |
| Länge | 8.10mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie ST8L65 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 166W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.10 mm | ||
Länge 8.10mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist. Die M9-Technologie auf Siliziumbasis profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Er verfügt über einen der niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen siliziumbasierten Super-Junction-Leistungs-MOSFETs mit schneller Schaltung, womit er sich besonders für Anwendungen eignet, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
Ausgezeichnete Schaltleistung
Leichte Ansteuerung
100 Prozent lawinengeprüft
Ausgezeichnete Schaltleistung
PowerFLAT 8x8 HV-Gehäuse
RoHS-Konformität
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