STMicroelectronics STL1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT

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Herst. Teile-Nr.:
STL125N8F7AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

STL1

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.2 mm

Länge

6.4mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der STMicroelectronics STL125N8F7AG ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench Gate-Struktur, die einen sehr niedrigen Betriebswiderstand ermöglicht, während gleichzeitig die interne Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten reduziert werden.

Hohe Lawinenbeständigkeit

Benetzbares Flankengehäuse

AEC-Q101-qualifiziert

Ausgezeichneter Schaumstoff

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