STMicroelectronics STL1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 230-0097
- Herst. Teile-Nr.:
- STL125N8F7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.13.89
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 10. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.778 | CHF.13.88 |
| 25 - 45 | CHF.2.636 | CHF.13.19 |
| 50 - 120 | CHF.2.374 | CHF.11.87 |
| 125 - 245 | CHF.2.141 | CHF.10.69 |
| 250 + | CHF.2.03 | CHF.10.14 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 230-0097
- Herst. Teile-Nr.:
- STL125N8F7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | STL1 | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6.4mm | |
| Breite | 5.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie STL1 | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6.4mm | ||
Breite 5.2 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics STL125N8F7AG ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench Gate-Struktur, die einen sehr niedrigen Betriebswiderstand ermöglicht, während gleichzeitig die interne Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten reduziert werden.
Hohe Lawinenbeständigkeit
Benetzbares Flankengehäuse
AEC-Q101-qualifiziert
Ausgezeichneter Schaumstoff
Verwandte Links
- STMicroelectronics STL1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 167 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 167 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 290 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 304 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 158 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V / 290 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics ST8L65N0 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 650 V / 35 A 167 W, 5-Pin PowerFlat HV