Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 232-0388P
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW65R039M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 232-0388P
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- IMW65R039M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon verfügt über SiC MOSFET für zuverlässige und kostengünstige Leistung im 3-poligen TO247-Gehäuse. Die CoolSiC MOSFET-Technologie nutzt die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid und fügt einzigartige Funktionen hinzu, die die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Geräts erhöhen. Der MOSFET 650 V basiert auf einem hochmodernen Trenchhalbleiter, der optimiert wurde, um keine Kompromisse bei der Herstellung der niedrigsten Verluste in der Anwendung und der höchsten Zuverlässigkeit im Betrieb zu ermöglichen.
Geringe Kapazitäten
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Erhöhte Lawinenfähigkeit
Funktioniert mit Standardtreibern
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