Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A, 3-Pin IMW65R083M1HXKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IMW65R083M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

111mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon verfügt über SiC MOSFET für zuverlässige und kostengünstige Leistung im 3-poligen TO247-Gehäuse. Die CoolSiC MOSFET-Technologie nutzt die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid und fügt einzigartige Funktionen hinzu, die die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Geräts erhöhen. Der MOSFET 650 V basiert auf einem hochmodernen Trenchhalbleiter, der optimiert wurde, um keine Kompromisse bei der Herstellung der niedrigsten Verluste in der Anwendung und der höchsten Zuverlässigkeit im Betrieb zu ermöglichen.

Geringe Kapazitäten

Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen

Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Erhöhte Lawinenfähigkeit

Funktioniert mit Standardtreibern

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