Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 106 A 500 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 232-3048
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 30 - 30 | CHF.13.881 | CHF.416.40 |
| 60 + | CHF.13.188 | CHF.395.58 |
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- RS Best.-Nr.:
- 232-3048
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 106A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 234nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 106A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 234nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.21 mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon CFD7 ist ein Super Junction MOSFET mit integrierter schneller Gehäusediode im TO-247-Gehäuse und ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungstopologien. Die CoolMOS CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.
Ultraschnelle Gehäusediode und sehr niedrige Qrr
650 V Durchschlagsspannung
Deutlich geringere Schaltverluste im Vergleich zur Konkurrenz
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