Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 37 A 43 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 232-6759
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC0803NLSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.1’890.00
Nur noch Restbestände
- Letzte 5’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.0.378 | CHF.1'916.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 232-6759
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC0803NLSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.9mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.9mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.
Logikpegel-Verfügbarkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 37 A 43 W, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 37 A 43 W, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 37 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 43 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 370 A 230 W, 8-Pin PG-TDSON-8-43
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 414 A 179 W, 8-Pin PG-TDSON-8-43
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 200 A 169 W, 8-Pin PG-TDSON-8-43
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET & Diode 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON