Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 64 A 60 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
232-6768
Herst. Teile-Nr.:
ISZ0602NLSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.9mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.1 mm

Länge

3.4mm

Höhe

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 80 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das PQFN-Gehäuse mit 3,3 x 3,3 bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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