Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 58 A 60 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 232-6778
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ0804NLSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 232-6778
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ0804NLSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.5mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.5mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das PQFN-Gehäuse mit 3,3 x 3,3 bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.
Logikpegel-Verfügbarkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
100%ig auf Stoßentladung geprüft
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