Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 214-4339
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ034N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSZ034N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon Power MOSFET ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.
Er bietet eine hohe Systemeffizienz
Es wurde zu 100 % auf Lawinenbildung getestet
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