Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

CHF.2’310.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +CHF.0.462CHF.2’336.25

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-2472
Herst. Teile-Nr.:
BSZ146N10LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Logikpegel der OptiMOS 5-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind sehr gut geeignet für drahtlose Lade-, Adapter- und Telekommunikationsanwendungen. Die niedrige Gate-Ladung (Q g) der Geräte reduziert Schaltverluste ohne Kompromisse bei den Leitungsverlusten. Die verbesserten Leistungswerte ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen. Darüber hinaus bietet der Logikebenen-Antrieb eine niedrige Gate-Schwellenspannung (V GS(der)), sodass die MOSFETs mit 5 V und direkt von Mikrocontrollern angetrieben werden können.

Low R DS(on) in kleinem Gehäuse

Niedrige Gateladung

Geringere Ausgangsladung

Logikpegel-Kompatibilität

Verwandte Links