Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 215-2472
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-2472
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Logikpegel der OptiMOS 5-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind sehr gut geeignet für drahtlose Lade-, Adapter- und Telekommunikationsanwendungen. Die niedrige Gate-Ladung (Q g) der Geräte reduziert Schaltverluste ohne Kompromisse bei den Leitungsverlusten. Die verbesserten Leistungswerte ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen. Darüber hinaus bietet der Logikebenen-Antrieb eine niedrige Gate-Schwellenspannung (V GS(der)), sodass die MOSFETs mit 5 V und direkt von Mikrocontrollern angetrieben werden können.
Low R DS(on) in kleinem Gehäuse
Niedrige Gateladung
Geringere Ausgangsladung
Logikpegel-Kompatibilität
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