Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 105 A 69 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 215-2470
Herst. Teile-Nr.:: BSZ040N04LSGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 105 A 69 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 215-2470
Herst. Teile-Nr.:: BSZ040N04LSGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	105A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.6mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	64nC
	Maximale Verlustleistung Pd	69W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 105A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.6mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC
	Maximale Verlustleistung Pd 69W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ040N04LSGATMA1

Der Infineon OptiMOS TM 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.

Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Ideal für schnelle Schaltanwendungen

RoHS-konform - halogenfrei

MSL1-ausgelegt

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 105 A 69 W, 8-Pin PQFN

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