Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 98 A 52 W, 8-Pin SuperSO

RS Best.-Nr.:: 215-2455
Herst. Teile-Nr.:: BSC032N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 98 A 52 W, 8-Pin SuperSO

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 215-2455
Herst. Teile-Nr.:: BSC032N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	98A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	52W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 98A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SuperSO
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 52W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC032N04LSATMA1

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 98 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC032N04LSATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -umwandlung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Anwendungen, die geringe Leitungsverluste und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit in einem kompakten SuperSO-Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 4,4 mΩ für geringere Leitungsverluste
• 98 A kontinuierliche Ablassleistung für schwere Stromlasten
• 40 V Drain-to-Source-Nennleistung für Mittelspannungsstufen
• Maximale Verlustleistung von 52 W für den thermischen Kopfraum
• Typische Gate-Ladung 25 nC ermöglicht einen effizienten Gate-Antrieb
• Arbeitet von -55 °C bis 175 °C für erweiterte Temperaturtoleranz

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung im Energiemanagement
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die oberflächenmontierte Teile erfordern
• Kann für die Telekommunikations- und Server-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für batteriebetriebene Systeme, die eine Schaltung mit niedrigem Vf-Wert erfordern

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?

Die Drive-Schaltung sollte ausreichend Spitzenstrom liefern, um das 25 nC-Gate schnell aufzuladen, während sie den Schaltbetrieb steuert, um Schaltverluste und elektromagnetische Störungen auszugleichen.

Wie sollte das Wärmemanagement auf der Leiterplatte behandelt werden?

Verwenden Sie mehrschichtige Kupferwaagen und Wärmeleitpasten unterhalb der SuperSO-Abmessungen, um die Verlustleistung von 52 W und den thermischen Widerstand zwischen Verbindung und Leiterplatte zu verteilen.

Welchen elektrischen Belastungen muss das Gerät bei transienten Ereignissen standhalten?

Das Gerät ist für 40 V Vds im Steady State ausgelegt

Überspannungsschutz wie Snubber oder Überspannungsunterdrückung sollte angewendet werden, um eine Überspannung über diesen Wert hinaus zu begrenzen.

Gibt es spezifische Layout-Praktiken zur Minimierung von Leitungsverlusten?

Breite, kurze Kupferbahnen für Drain- und Quellenanschlüsse und minimieren die Schleifeninduktivität zwischen dem Gerät und seinem Gate-Antrieb, um den niedrigen Vorteil von 4,4 mΩ zu erhalten.