Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 454 A 375 W, 8-Pin IPTG007N06NM5ATMA1 HSOG

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.5.46

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 28 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +CHF.2.73CHF.5.45

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-4382
Herst. Teile-Nr.:
IPTG007N06NM5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

454A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPTG

Gehäusegröße

HSOG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

216nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Breite

8.75 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG007N06NM5 kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 5-60 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine. Dies führt zu einem 2-mal höheren Temperaturzyklus auf der Platine

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen

Hohe Leistungsfähigkeit

Verwandte Links