Teile-Nr.

Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 77 A 375 W, 8-Pin IPTG210N25NM3FDATMA1 HSOG

RS Best.-Nr.:: 233-4391
Herst. Teile-Nr.:: IPTG210N25NM3FDATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 77 A 375 W, 8-Pin IPTG210N25NM3FDATMA1 HSOG

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.16.086

Auf Lager

Zusätzlich 1’800 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	CHF.8.043	CHF.16.10
10 - 18	CHF.7.245	CHF.14.48
20 - 48	CHF.6.762	CHF.13.51
50 - 98	CHF.6.342	CHF.12.70
100 +	CHF.5.88	CHF.11.75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 233-4391
Herst. Teile-Nr.:: IPTG210N25NM3FDATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	77A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	HSOG
	Serie	IPTG
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	21mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	65nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.4mm
	Breite	8.75 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße HSOG
	Serie IPTG
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.4mm
	Breite 8.75 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPTG210N25NM3FDATMA1

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG210N25NM3FD kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 3 - 250 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine.

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen

Hohe Leistungsfähigkeit

Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 77 A 375 W, 8-Pin IPTG210N25NM3FDATMA1 HSOG

Verwandte Links