Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 114 A 46 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 234-6989
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC074N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 234-6989
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC074N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 114A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 114A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 150 V Drain-Source-Spannung, 114 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC074N15NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen geringe Leitungsverluste und hoher Dauerstrom erforderlich sind. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Schaltkreise, die robuste Gate-Drive-Spannen und eine hohe Verlustleistung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 150 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 9,2 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für einen effizienten Betrieb
• Die Dauerstromfähigkeit von 114 A unterstützt Systeme mit hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 46 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 10 nC typische Gate-Ladung minimiert Schaltenergieverluste
• Die VVGS-Toleranz von bis zu 20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Ebenen
• 9,2 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für einen effizienten Betrieb
• Die Dauerstromfähigkeit von 114 A unterstützt Systeme mit hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 46 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 10 nC typische Gate-Ladung minimiert Schaltenergieverluste
• Die VVGS-Toleranz von bis zu 20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Ebenen
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler, die erhebliche Ströme verarbeiten
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltvorgänge in Hochspannungsumgebungen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltvorgänge in Hochspannungsumgebungen
In welchen Umgebungstemperaturen kann er funktionieren?
Er arbeitet bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C.
Welche Montageart ist für die Schaltkreismontage erforderlich?
Er ist für die Oberflächenmontage in einem SuperSO8 5x6-Gehäuse vorgesehen.
Wie viele Pins bietet das Gerät für das Leiterplatten-Layout?
Das Gehäuse verwendet acht Stifte für die elektrische und thermische Verbindung.
Wie hoch ist die Durchlassspannung während der Leitung?
Die Durchlassspannung unter den angegebenen Bedingungen beträgt 1,2 V.
Welchen physischen Platzbedarf und welches Profil sollten Entwickler zulassen?
Das Gerät misst 5,35 mm Länge bei 6,1 mm Breite bei einer Höhe von 1,2 mm.
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