Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 120 V / 68 A 114 W, 8-Pin BSC120N12LSGATMA1 TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
BSC120N12LSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Serie

BSC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.2mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.87V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Länge

5.49mm

Breite

6.35 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS 3-Leistungs-MOSFETs von Infineon in der Logikstufe eignen sich hervorragend für Lade-, Adapter- und Telekommunikationsanwendungen. Die Geräte mit niedriger Gate-Ladung reduzieren Schaltverluste, ohne die Leitungsverluste zu beeinträchtigen. Logikpegel-MOSFETs ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen und können aufgrund einer niedrigen Gate-Schwellenspannung direkt von Mikrocontrollern aus gesteuert werden.

Niedrige Gate-Ladung

Geringere Ausgangsladung

Kompatibilität mit Logikpegel

Konstruktionen mit höherer Leistungsdichte

Höhere Schaltfrequenz

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