Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 88 A 36 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0688
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0503NSIATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.323 | CHF.6.62 |
| 50 - 120 | CHF.1.187 | CHF.5.94 |
| 125 - 245 | CHF.1.113 | CHF.5.54 |
| 250 - 495 | CHF.1.05 | CHF.5.23 |
| 500 + | CHF.0.966 | CHF.4.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0688
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0503NSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 88A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.54V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 88A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.54V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 25-V- und 30-V-Produktfamilie OptiMOS 5 von Infineon bietet Benchmark-Lösungen, indem sie höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz ermöglicht, sowohl im Standby- als auch im vollen Betrieb.
Höchster Wirkungsgrad
Höchste Leistungsdichte mit S3O8 oder Power Block-Gehäuse
Reduzierung der Gesamtsystemkosten
Betrieb bei hoher Schaltfrequenz
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