Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 58 A, 8-Pin BSC050NE2LSATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.2.21

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4’970 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +CHF.0.221CHF.2.24

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
259-1473
Herst. Teile-Nr.:
BSC050NE2LSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Produktfamilie Infineon optimos 25 V setzt neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Leistungs-MOSFETs und System in Gehäuse. Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Widerstand im eingeschalteten Zustand bei geringer Abmessung. Es minimiert elektromagnetische Störungen im System, wodurch externe Schnubber-Netzwerke obsolet werden und die Produkte leicht zu entwerfen sind.

Einsparung der Gesamtsystemkosten durch Reduzierung der Anzahl der Phasen in Mehrphasenwandlern

Verringerung von Leistungsverlusten und Erhöhung des Wirkungsgrads für alle Belastungsbedingungen

Spart Platz mit den kleinsten Gehäusen wie CanPAK, S3O8 oder System-in-Pack-Lösung

Verwandte Links