Teile-Nr.

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A IPB123N10N3GATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 258-7741
Herst. Teile-Nr.:: IPB123N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A IPB123N10N3GATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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5 - 45	CHF.1.754	CHF.8.78
50 - 120	CHF.1.586	CHF.7.91
125 - 245	CHF.1.47	CHF.7.37
250 - 495	CHF.1.365	CHF.6.85
500 +	CHF.1.281	CHF.6.42

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-7741
Herst. Teile-Nr.:: IPB123N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	58A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	iPB
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie iPB
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPB123N10N3GATMA1

Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Verglichen mit der nächstbesten Technologie erreicht dieses Produkt eine Reduzierung der Rds on und FOM um 30 Prozent.

Hervorragendes Schaltverhalten

Weltweit niedrigster RDS auf

RoHS-konform und halogenfrei

MSL1 bewertet 2

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A IPB123N10N3GATMA1 TDSON

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