Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 160 A TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB039N10N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.1’092.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.1.092 | CHF.1’088.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB039N10N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Verglichen mit der nächstbesten Technologie erreicht dieses Produkt eine Reduzierung der Rds on und FOM um 30 Prozent.
Hervorragendes Schaltverhalten
Weltweit niedrigster RDS auf
RoHS-konform und halogenfrei
MSL1 bewertet 2
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 160 A TSDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 160 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A TDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 137 A TO-252
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 100 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 103 A TO-263