Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.30

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.3.15CHF.6.30
20 - 48CHF.2.678CHF.5.36
50 - 98CHF.2.52CHF.5.04
100 - 198CHF.2.331CHF.4.67
200 +CHF.2.184CHF.4.36

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-7735
Herst. Teile-Nr.:
IPB016N06L3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

P

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, wie sie in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine breite Palette industrieller Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und schnell schaltende DC-DC-Wandler eingesetzt werden.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS auf

Ideal für schnelle Schaltanwendungen

RoHS-konform

Höchste Systemeffizienz

Verwandte Links