Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 120 V / 68 A 114 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0696
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC120N12LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0696
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC120N12LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.87V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.49mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.87V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.49mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die OptiMOS 3-Leistungs-MOSFETs von Infineon in der Logikstufe eignen sich hervorragend für Lade-, Adapter- und Telekommunikationsanwendungen. Die Geräte mit niedriger Gate-Ladung reduzieren Schaltverluste, ohne die Leitungsverluste zu beeinträchtigen. Logikpegel-MOSFETs ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen und können aufgrund einer niedrigen Gate-Schwellenspannung direkt von Mikrocontrollern aus gesteuert werden.
Niedrige Gate-Ladung
Geringere Ausgangsladung
Kompatibilität mit Logikpegel
Konstruktionen mit höherer Leistungsdichte
Höhere Schaltfrequenz
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