ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 500 mA 2 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
235-2675
Herst. Teile-Nr.:
R6000ENHTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.3mm

Länge

5.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.75 mm

Automobilstandard

Nein

Die Rohm R6xxxENx-Serie umfasst rauscharme Produkte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf Benutzerfreundlichkeit legen. Diese Produkte der Serie erreichen eine überlegene Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Geräuschreduzierung, wie z. B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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