ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 2 W, 8-Pin SH8KC6TB1 SOP

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235-2812
Herst. Teile-Nr.:
SH8KC6TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.75 mm

Länge

4.05mm

Automobilstandard

Nein

Der Rohm MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand ist ideal für Schaltanwendungen. Dieses Produkt umfasst zwei 60-V-MOSFETs in einem kleinen SMD-Gehäuse.

Pb-frei Beschichtung

Halogenfrei

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