ROHM Doppelt SP8K33 N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin SOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
222-4370
Herst. Teile-Nr.:
SP8K33HZGTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Serie

SP8K33

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

2 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOP

Automobilstandard

AEC-Q101

Durchlassspannung (Vf)

1.2 V

Höhe

1.75 mm

Länge

5 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

48 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8 nC

Breite

6 mm

The ROHM SP8K33HZG n automotive grade MOSFET that EC-Q101 qualified. Two Nch 60V MOSFETs are included in the SOP8 package. Built-in ESD protection diode. Ideal for switching applications

Low on-resistance

Small Surface Mount Package (SOP8)

Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Halogen Free

Sn100% plating

AEC-Q101 Qualified

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