ROHM Doppelt SP8K52 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 3 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 222-4376
- Herst. Teile-Nr.:
- SP8K52HZGTB
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | SP8K52 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie SP8K52 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Rohm SP8K52HZG n MOSFET für die Automobilindustrie, der EC-Q101-zertifiziert ist. Zwei 100-V-MOSFETs von Nch sind im SOP8-Gehäuse enthalten. Integrierte ESD-Schutzdiode. Ideal für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung ; RoHS-konform
AEC-Q101-qualifiziert
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