ROHM Doppelt SP8K52 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 3 A 2 W, 8-Pin SOP

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Herst. Teile-Nr.:
SP8K52HZGTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SP8K52

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Breite

6 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Rohm SP8K52HZG n MOSFET für die Automobilindustrie, der EC-Q101-zertifiziert ist. Zwei 100-V-MOSFETs von Nch sind im SOP8-Gehäuse enthalten. Integrierte ESD-Schutzdiode. Ideal für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)

Bleifreie Leitungsbeschichtung ; RoHS-konform

AEC-Q101-qualifiziert

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