ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 78 W, 3-Pin R6507END3TL1 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 235-2685
- Herst. Teile-Nr.:
- R6507END3TL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.1’627.50
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.651 | CHF.1’630.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-2685
- Herst. Teile-Nr.:
- R6507END3TL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 665mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.4mm | |
| Höhe | 10.4mm | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 665mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.4mm | ||
Höhe 10.4mm | ||
Breite 2.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Rohm R6xxxENx-Serie umfasst rauscharme Produkte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf Benutzerfreundlichkeit legen. Diese Produkte der Serie erreichen eine überlegene Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Geräuschreduzierung, wie z. B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
RoHS-konform
Verwandte Links
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 78 W, 3-Pin R6507END3TL1 TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 78 W, 3-Pin R6507KND3TL1 TO-252
- ROHM R6007END3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 7 A 78 W, 3-Pin TO-252
- ROHM R6007END3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 7 A 78 W, 3-Pin R6007END3TL1 TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin R6509KND3TL1 TO-252
- ROHM R65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V 26 W, 3-Pin R6502END3TL1 TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 4 A 58 W, 3-Pin R6504KND3TL1 TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin R6511END3TL1 TO-252