ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 78 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 235-2685
- Herst. Teile-Nr.:
- R6507END3TL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 235-2685
- Herst. Teile-Nr.:
- R6507END3TL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 7 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 78 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 10.4 mm | |
| Länge | 6.4 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 665 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 20 nC | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 7 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 78 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 10.4 mm | ||
Länge 6.4 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 665 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 20 nC | ||
Breite 2.4 mm | ||
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant
Verwandte Links
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 78 W, 3-Pin TO-252
- ROHM R6007END3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 7 A 78 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-252
- ROHM R65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V 26 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 94 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 4 A 58 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A TO-252