ROHM R65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V 26 W, 3-Pin R6502END3TL1 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 265-280
- Herst. Teile-Nr.:
- R6502END3TL1
- Marke:
- ROHM
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| 10 - 90 | CHF.0.599 | CHF.6.03 |
| 100 - 240 | CHF.0.567 | CHF.5.72 |
| 250 - 490 | CHF.0.525 | CHF.5.29 |
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- RS Best.-Nr.:
- 265-280
- Herst. Teile-Nr.:
- R6502END3TL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | R65 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.0Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie R65 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.0Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM MOSFET ist ein rauscharmer Super-Junction-MOSFET, bei dem die Benutzerfreundlichkeit im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie bieten eine überragende Leistung für geräuschempfindliche Anwendungen, wie z. B. Audio- und Beleuchtungsanlagen.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Schnelles Umschalten
Antriebsschaltungen können einfach sein
Parallele Nutzung ist einfach
Geringer Widerstand
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