ROHM R65 Typ N-Kanal 1 MOSFET 30 V Erweiterung / 125 A 78 W, 8-Pin HSMT-8 RH6E040BGTB1

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265-310
Herst. Teile-Nr.:
RH6E040BGTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

125A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

R65

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30.0nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der ROHM Power MOSFET verfügt über einen geringen Widerstand beim Einschalten und ist in einem kompakten, leistungsstarken, kleinen, geformten Gehäuse untergebracht. Es ist gut geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Schaltungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler, und bietet eine effiziente Leistung in platzschnellen Umgebungen.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Hochleistungs-Kleinformgehäuse

Geringer Durchlasswiderstand

100 Prozent Rg- und UIS-getestet

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