ROHM HT8KF6H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 14 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 687-371
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8KF6HTB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
CHF.1.638
Vorübergehend ausverkauft
- 100 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 + | CHF.0.819 | CHF.1.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-371
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8KF6HTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HT8KF6H | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 214mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 14W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.45mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HT8KF6H | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 214mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 14W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.45mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Dieses Bauteil bietet robuste elektrische Eigenschaften, einschließlich eines maximalen kontinuierlichen Ablassstroms von ±7,0 A, die einen zuverlässigen Betrieb unter hohen Lasten gewährleisten. Die bleifreien und halogenfreien Materialien erfüllen die RoHS-Normen und tragen zu umweltfreundlichen Designs bei. Der thermische Widerstand dieses MOSFET ist optimiert, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht und so die Langlebigkeit und Leistung des Geräts in verschiedenen elektronischen Anwendungen verbessert.
Niedriger Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz
Hohe Leistungskapazität in einem kompakten HSMT8-Formgehäuse
Erfüllt die RoHS-Vorschriften mit Pb-freier Beschichtung
Halogenfreies Design zur Unterstützung umweltfreundlicher Initiativen
Vielseitiger Einsatz in Motorantrieben und Energiemanagementsystemen
Hohe maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C
Beeindruckende maximale Verlustleistung von 14 W
Zuverlässige Lawineneigenschaften mit einer maximalen Energie von 0,24 mJ
Verwandte Links
- ROHM HT8MD5HT Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 13.0 W, 8-Pin HT8MD5HTB1 HSMT-8
- ROHM RH6R025BH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 25 A 59 W, 8-Pin HSMT
- ROHM RH6R025BH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 25 A 59 W, 8-Pin RH6R025BHTB1 HSMT
- ROHM HP8KF7H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 26 W, 8-Pin HP8KF7HTB1 HSOP-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 14 W, 8-Pin RQ3L060BGTB1 HSMT-8
- ROHM RH6G040BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 95 A 104 W HSMT-8
- ROHM RH6G040BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 95 A 104 W RH6G040BGTB1 HSMT-8
- ROHM RH6P040BH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 104 W RH6P040BHTB1 HSMT-8