ROHM HT8KF6H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 14 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
687-371
Herst. Teile-Nr.:
HT8KF6HTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

HT8KF6H

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

214mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

14W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.45mm

Höhe

0.8mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Dieses Bauteil bietet robuste elektrische Eigenschaften, einschließlich eines maximalen kontinuierlichen Ablassstroms von ±7,0 A, die einen zuverlässigen Betrieb unter hohen Lasten gewährleisten. Die bleifreien und halogenfreien Materialien erfüllen die RoHS-Normen und tragen zu umweltfreundlichen Designs bei. Der thermische Widerstand dieses MOSFET ist optimiert, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht und so die Langlebigkeit und Leistung des Geräts in verschiedenen elektronischen Anwendungen verbessert.

Niedriger Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz

Hohe Leistungskapazität in einem kompakten HSMT8-Formgehäuse

Erfüllt die RoHS-Vorschriften mit Pb-freier Beschichtung

Halogenfreies Design zur Unterstützung umweltfreundlicher Initiativen

Vielseitiger Einsatz in Motorantrieben und Energiemanagementsystemen

Hohe maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C

Beeindruckende maximale Verlustleistung von 14 W

Zuverlässige Lawineneigenschaften mit einer maximalen Energie von 0,24 mJ

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