ROHM HT8MC5 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 13 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 687-389
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8MC5TB1
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | HT8MC5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 97mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 3.45mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie HT8MC5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 97mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 3.45mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für effiziente Motorantriebsanwendungen entwickelt. Dieses Gerät ist in einem fortschrittlichen HSMT8-Gehäuse untergebracht und zeichnet sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand aus, der ein verbessertes Energiemanagement bei gleichzeitiger Minimierung der Wärmeentwicklung ermöglicht. Dank seiner robusten Eigenschaften eignet er sich für verschiedene Anwendungen, die Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern, insbesondere in Umgebungen, in denen der Platz knapp ist. Mit seinem bleifreien und RoHS-konformen Design entspricht es den modernen Standards für Umweltsicherheit und bietet gleichzeitig beeindruckende Spezifikationen, die einen vielseitigen Einsatz in zahlreichen elektronischen Bereichen gewährleisten.
Niedriger Widerstand erhöht die Energieeffizienz und reduziert den Energieverlust
Das kleine Gehäuse mit hoher Leistung (HSMT8) ist ideal für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot
Pb-freie Beschichtung und RoHS-Konformität gewährleisten Umweltfreundlichkeit
Halogenfreie Konstruktion für zusätzliche Sicherheit und Konformität
Vollständig Rg- und UIS-getestet für verbesserte Zuverlässigkeit unter dynamischen Bedingungen
Die geprägte Verpackung optimiert die Handhabung und das Einsetzen während der Herstellung
Die maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C ermöglicht eine zuverlässige Leistung in Umgebungen mit hoher Hitze.
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