ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-249
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3G120BJFRATCB
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.6.09
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.609 | CHF.6.05 |
| 100 - 240 | CHF.0.578 | CHF.5.74 |
| 250 - 490 | CHF.0.536 | CHF.5.31 |
| 500 - 990 | CHF.0.494 | CHF.4.90 |
| 1000 + | CHF.0.473 | CHF.4.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-249
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3G120BJFRATCB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RQ3 | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 48mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RQ3 | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET für die Automobilindustrie ist eine ideale Lösung für Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen. Seine robuste Konstruktion gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Realisierung einer hohen Montagesicherheit durch originelle Klemmen- und Plattierungsbehandlung.
RoHS-Konformität
AEC Q101 Qualifiziert
Kleines Gehäuse mit hoher Leistung reduziert die Montagefläche
Verwandte Links
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 14 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 15 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM HT8MB5 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 13 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RH6G040BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 95 A 104 W HSMT-8