ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 15 W, 8-Pin RQ3L070BGTB1 HSMT-8

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Herst. Teile-Nr.:
RQ3L070BGTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

RQ3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

15W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-Leistungs-MOSFET 60V 20A bietet einen niedrigen On-Widerstand und ist damit ideal für primärseitige Schaltvorgänge, Motorantriebe und DC-DC-Wandler.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

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