ROHM RH6 Typ N-Kanal 1 MOSFET 60 V Erweiterung / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

CHF.8.72

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3’020 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 90CHF.0.872CHF.8.75
100 - 240CHF.0.83CHF.8.31
250 - 490CHF.0.767CHF.7.70
500 - 990CHF.0.704CHF.7.08
1000 +CHF.0.683CHF.6.83

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-934
Herst. Teile-Nr.:
RH6L040BGTB1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

RH6

Gehäusegröße

HSMT-8

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der ROHM Nch 60V 65A HSMT8 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, geeignet für Schaltvorgänge, Motorantriebe, Gleichstrom oder Gleichstromwandler.

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Verwandte Links