ROHM RH6R025BH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 25 A 59 W, 8-Pin HSMT

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.10.86

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2'925 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.172CHF.10.85
50 - 95CHF.1.939CHF.9.68
100 - 245CHF.1.566CHF.7.81
250 - 995CHF.1.525CHF.7.65
1000 +CHF.1.273CHF.6.36

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
266-3859
Herst. Teile-Nr.:
RH6R025BHTB1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

RH6R025BH

Gehäusegröße

HSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.7nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Hochleistungs-Formgehäuse, geeignet für das Schalten.

Bleifreie Beschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links