ROHM RH6P040BH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 104 W RH6P040BHTB1 HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 252-3155
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6P040BHTB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.15.33
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.533 | CHF.15.31 |
| 50 - 90 | CHF.1.502 | CHF.15.01 |
| 100 - 240 | CHF.1.229 | CHF.12.24 |
| 250 - 990 | CHF.1.197 | CHF.12.02 |
| 1000 + | CHF.1.176 | CHF.11.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-3155
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6P040BHTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | RH6P040BH | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb Free | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie RH6P040BH | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb Free | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Rohms bietet eine RH-Serie von Leistungs-Mosfets mit niedrigem Durchlasswiderstand an, die zum Schalten geeignet sind. Das Produkt ist halogenfrei 100 % Rg und UIS-geprüft mit einer Eingangsspannung von 100 V.
Der Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich beträgt -55 °C bis +150 °C
Montiert auf einer cu-Platte
Der Drainstrom beträgt 40 A
Die Verlustleistung beträgt 59 W
Verwandte Links
- ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A HSMT8
- ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 95 A HSMT8
- ROHM HT8K N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 13 A, 8-Pin HSMT8
- ROHM HT8K N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 7 A, 8-Pin HSMT8
- ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 25 A, 8-Pin HSMT8
- ROHM HT8KB6 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A, 8-Pin HSMT8
- ROHM RH6 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A, 8-Pin HSMT8
- ROHM RQ3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A, 8-Pin HSMT8
