ROHM RH6P040BH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 104 W HSMT-8

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Herst. Teile-Nr.:
RH6P040BHTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RH6P040BH

Gehäusegröße

HSMT-8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb Free

Automobilstandard

AEC-Q101

Rohms bietet eine RH-Serie von Leistungs-Mosfets mit niedrigem Durchlasswiderstand an, die zum Schalten geeignet sind. Das Produkt ist halogenfrei 100 % Rg und UIS-geprüft mit einer Eingangsspannung von 100 V.

Der Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich beträgt -55 °C bis +150 °C

Montiert auf einer cu-Platte

Der Drainstrom beträgt 40 A

Die Verlustleistung beträgt 59 W

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