ROHM RQ3P120BKFRA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 40 W, 8-Pin HSMT-8AG
- RS Best.-Nr.:
- 687-380
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3P120BKFRATCB
- Marke:
- ROHM
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| 50 - 198 | CHF.1.481 | CHF.2.96 |
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- 687-380
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3P120BKFRATCB
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | RQ3P120BKFRA | |
| Gehäusegröße | HSMT-8AG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 300 mm | |
| Länge | 3.30mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie RQ3P120BKFRA | ||
Gehäusegröße HSMT-8AG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 300 mm | ||
Länge 3.30mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Dieser MOSFET hält Drain-Source-Spannungen von bis zu 100 V und einem Dauerstrom von ±12 A stand und zeichnet sich sowohl durch seine Leistungsdichte als auch durch seine thermische Beständigkeit aus. Das kompakte HSMT8AG-Gehäuse reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte um 64 % erheblich und ist damit die ideale Wahl für moderne elektronische Designs, die Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern. Mit der AEC-Q101-Qualifikation gewährleistet er einen robusten Betrieb in Automobilanwendungen und eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungsfällen, von ADAS bis zu Beleuchtungslösungen.
Kleines leistungsstarkes Gehäuse optimiert den Platz auf Leiterplatten um 64%
Hohe Montagesicherheit durch innovative Klemmen- und Beschichtungsbehandlungen
Die AEC Q101-Qualifikation gewährleistet Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen
Entwickelt für eine maximale Verlustleistung von 40 W für ein effektives Wärmemanagement
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 58 mΩ erhöht die Effizienz und Leistung
Robuste Gate-Source-Spannungstoleranz von ±20 V erweitert die Integrationsmöglichkeiten
Lawinenbelastbarkeit von 8 A und Energieverlust von 5,2 mJ bieten zusätzlichen Schutz während des Betriebs
Sehr zuverlässiger Betrieb in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
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