ROHM RQ3L270BKFRA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8AG
- RS Best.-Nr.:
- 264-944
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L270BKFRATCB
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.8.30
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.83 | CHF.8.34 |
| 100 - 240 | CHF.0.788 | CHF.7.92 |
| 250 - 490 | CHF.0.735 | CHF.7.33 |
| 500 - 990 | CHF.0.672 | CHF.6.75 |
| 1000 + | CHF.0.651 | CHF.6.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-944
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L270BKFRATCB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RQ3L270BKFRA | |
| Gehäusegröße | HSMT-8AG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.6mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RQ3L270BKFRA | ||
Gehäusegröße HSMT-8AG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.6mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET zeichnet sich bei Hochleistungsanwendungen durch seine fortschrittlichen Eigenschaften aus. Er ist auf Effizienz ausgelegt und arbeitet effektiv bei einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V, was ihn ideal für den Einsatz im Automobil- und Industriebereich macht. Das kompakte HSMT8AG-Gehäuse ist ein entscheidender Teil des Designs und ermöglicht eine bemerkenswerte Reduzierung der Montagefläche ohne Beeinträchtigung der Zuverlässigkeit.
Robuste thermische Beständigkeit unterstützt die Zuverlässigkeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen
Vielseitige Anwendungen im Automobil- und Industriesektor
Fortschrittliche Wärmemanagement-Funktionen verbessern die Langlebigkeit
Verwandte Links
- ROHM RQ3G270BKFRA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3G270BKFRATCB HSMT-8AG
- ROHM RQ3L270BLFRA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3L270BLFRATCB HSMT-8AG
- ROHM RQ3L270 Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3L270BJFRATCB HSMT-8AG
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3G270BJFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3P270BKFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3P120BKFRA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 40 W, 8-Pin RQ3P120BKFRATCB HSMT-8AG
- ROHM RH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 80 V / 65 A 59 W, 8-Pin RH6N040BHTB1 HSMT-8
- ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Entleerung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8 HT8KB6TB1