ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-255
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3P270BKFRATCB
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.8.61
Auf Lager
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.861 | CHF.8.57 |
| 100 - 240 | CHF.0.819 | CHF.8.14 |
| 250 - 490 | CHF.0.756 | CHF.7.54 |
| 500 - 990 | CHF.0.693 | CHF.6.94 |
| 1000 + | CHF.0.672 | CHF.6.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-255
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3P270BKFRATCB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | RQ3 | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie RQ3 | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET für die Automobilindustrie ist eine ideale Lösung für Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen. Seine robuste Konstruktion gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Realisierung einer hohen Montagesicherheit durch originelle Klemmen- und Plattierungsbehandlung.
RoHS-Konformität
AEC Q101 Qualifiziert
Kleines Gehäuse mit hoher Leistung
Verwandte Links
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 14 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 15 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3L270 Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8AG
- ROHM RQ3L270BKFRA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8AG
