ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-253
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L120BKFRATCB
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.6.30
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.63 | CHF.6.28 |
| 100 - 240 | CHF.0.599 | CHF.5.98 |
| 250 - 490 | CHF.0.557 | CHF.5.53 |
| 500 - 990 | CHF.0.504 | CHF.5.09 |
| 1000 + | CHF.0.494 | CHF.4.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-253
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L120BKFRATCB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RQ3 | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RQ3 | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET für die Automobilindustrie ist eine ideale Lösung für Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen. Seine robuste Konstruktion gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Realisierung einer hohen Montagesicherheit durch originelle Klemmen- und Plattierungsbehandlung.
RoHS-Konformität
AEC Q101 Qualifiziert
Kleines Gehäuse mit hoher Leistung
Verwandte Links
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 14 W, 8-Pin RQ3L060BGTB1 HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin RQ3L120BJFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 15 W, 8-Pin RQ3L070BGTB1 HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12 A 40 W, 8-Pin RQ3G120BJFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3G270BJFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3P270BKFRATCB HSMT-8
- ROHM RH6 Typ N-Kanal 1 MOSFET 60 V Erweiterung / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1
- ROHM HT8MC5 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 13 W, 8-Pin HT8MC5TB1 HSMT-8
