ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 14 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-578
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L060BGTB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.5.36
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.536 | CHF.5.35 |
| 100 - 240 | CHF.0.504 | CHF.5.08 |
| 250 - 490 | CHF.0.473 | CHF.4.72 |
| 500 - 990 | CHF.0.431 | CHF.4.34 |
| 1000 + | CHF.0.42 | CHF.4.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-578
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L060BGTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RQ3 | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 14W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RQ3 | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 14W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM N-Kanal 60V 15,5A Leistungs-MOSFET im HSMT8-Gehäuse zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und ein Hochleistungsdesign aus und eignet sich daher ideal für Schalt-, Motorantriebs- und Gleichstrom- oder Gleichspannungswandleranwendungen.
Niedriger Einschaltwiderstand
Hochleistungskleinformgehäuse HSMT8
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
100% Rg und UIS getestet
Verwandte Links
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin RQ3L120BKFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin RQ3L120BJFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 15 W, 8-Pin RQ3L070BGTB1 HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12 A 40 W, 8-Pin RQ3G120BJFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3G270BJFRATCB HSMT-8
- ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27 A 69 W, 8-Pin RQ3P270BKFRATCB HSMT-8
- ROHM HT8KF6H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 14 W, 8-Pin HT8KF6HTB1 HSMT-8
- ROHM HT8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8 HT8KC6TB1