Teile-Nr.

ROHM HT8K Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13 A 14 W, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6TB1

RS Best.-Nr.:: 264-876
Herst. Teile-Nr.:: HT8KE6TB1
Marke:: ROHM

ROHM HT8K Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13 A 14 W, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6TB1

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 264-876
Herst. Teile-Nr.:: HT8KE6TB1
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HT8K
	Gehäusegröße	HSMT-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	57mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	14W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.7nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HT8K
	Gehäusegröße HSMT-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 14W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Datasheet - HT8KE6TB1

Der ROHM-Leistungs-MOSFET verfügt über eine duale N-Kanal-Konfiguration mit einer Nennspannung von 100 V und einer Stromkapazität von 13 A. Entwickelt in einem HSOP8-Gehäuse und mit niedrigem On-Widerstand.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

ROHM HT8K Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13 A 14 W, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6TB1

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