ROHM HT8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8 HT8KC6TB1

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264-489
Herst. Teile-Nr.:
HT8KC6TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HT8

Gehäusegröße

HSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

14W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-Dual-Nch-plus-Nch-Leistungs-MOSFET 60V 15A zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und ist damit ideal für Schaltanwendungen geeignet.

Niedriger Einschaltwiderstand

Hochleistungskleinformgehäuse HSMT8

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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