ROHM HT8MD5HT Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 13.0 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 687-385
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8MD5HTB1
- Marke:
- ROHM
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- 687-385
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8MD5HTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | HT8MD5HT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 165mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13.0W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Länge | 3.45mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie HT8MD5HT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 165mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13.0W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.4 mm | ||
Länge 3.45mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für vielseitige elektronische Anwendungen entwickelt. Mit seiner Konfiguration mit zwei N- und P-Kanälen bietet dieses Bauteil eine außergewöhnliche Leistung, die ein effektives Energiemanagement in Motorantrieben und anderen anspruchsvollen Schaltungen ermöglicht. Merkmale wie der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand gewährleisten einen minimalen Leistungsverlust während des Betriebs, während das HSMT8-Gehäuse eine kompakte Grundfläche ohne Leistungseinbußen ermöglicht. Der HT8MD5H unterstützt einen breiten Spannungsbereich und erfüllt die RoHS- und halogenfreien Normen, was ihn zu einer idealen Wahl für umweltbewusste Designs macht. Dieser MOSFET wurde mit Blick auf die Zuverlässigkeit entwickelt und eignet sich für verschiedene Anwendungen, die eine robuste Leistung unter verschiedenen Bedingungen erfordern.
Die Konstruktion mit niedrigem Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz bei Stromanwendungen
Hohe Leistung in einem kompakten HSMT8-Gehäuse optimiert die Integration
RoHS-konforme und halogenfreie Konstruktion unterstützt umweltfreundliches Design
100 % Rg und UIS auf Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen getestet
Optimiert für Motorantriebsanwendungen, die eine effektive Leistungssteuerung gewährleisten
Breiter Spannungsbereich gewährleistet Vielseitigkeit in verschiedenen elektronischen Umgebungen
Entwickelt, um maximalen Verbindungstemperaturen von bis zu 150 °C standzuhalten
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