ROHM HT8MD5HT Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 13.0 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
687-385
Herst. Teile-Nr.:
HT8MD5HTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

HT8MD5HT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

165mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

13.0W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Länge

3.45mm

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für vielseitige elektronische Anwendungen entwickelt. Mit seiner Konfiguration mit zwei N- und P-Kanälen bietet dieses Bauteil eine außergewöhnliche Leistung, die ein effektives Energiemanagement in Motorantrieben und anderen anspruchsvollen Schaltungen ermöglicht. Merkmale wie der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand gewährleisten einen minimalen Leistungsverlust während des Betriebs, während das HSMT8-Gehäuse eine kompakte Grundfläche ohne Leistungseinbußen ermöglicht. Der HT8MD5H unterstützt einen breiten Spannungsbereich und erfüllt die RoHS- und halogenfreien Normen, was ihn zu einer idealen Wahl für umweltbewusste Designs macht. Dieser MOSFET wurde mit Blick auf die Zuverlässigkeit entwickelt und eignet sich für verschiedene Anwendungen, die eine robuste Leistung unter verschiedenen Bedingungen erfordern.

Die Konstruktion mit niedrigem Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz bei Stromanwendungen

Hohe Leistung in einem kompakten HSMT8-Gehäuse optimiert die Integration

RoHS-konforme und halogenfreie Konstruktion unterstützt umweltfreundliches Design

100 % Rg und UIS auf Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen getestet

Optimiert für Motorantriebsanwendungen, die eine effektive Leistungssteuerung gewährleisten

Breiter Spannungsbereich gewährleistet Vielseitigkeit in verschiedenen elektronischen Umgebungen

Entwickelt, um maximalen Verbindungstemperaturen von bis zu 150 °C standzuhalten

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