ROHM HT8KE6 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET-Arrays 100 V Erweiterung / 12.5 A 14 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
646-615
Herst. Teile-Nr.:
HT8KE6HTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

HT8KE6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

14W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Halogen Free, Pb Free

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und kleinem Gehäuse mit hoher Leistung, geeignet für Schalt- und Motorantriebe.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

100% Rg und UIS getestet

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