ROHM RQ3L050GN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 14,8 W, 8-Pin HSMT

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RS Best.-Nr.:
133-3297
Herst. Teile-Nr.:
RQ3L050GNTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

HSMT

Serie

RQ3L050GN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

86 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

14,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

3.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5,3 nC @ 10 V

Breite

3.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.85mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM



MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

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