ROHM Einfach RQ3L050GN Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 12 A, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 133-3297
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L050GNTB
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HSMT | |
| Serie | RQ3L050GN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 86mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20, -20V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HSMT | ||
Serie RQ3L050GN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 86mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20, -20V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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