ROHM HP8KF7H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 26 W, 8-Pin HSOP-8

RS Best.-Nr.:: 687-364
Herst. Teile-Nr.:: HP8KF7HTB1
Marke:: ROHM

ROHM HP8KF7H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 26 W, 8-Pin HSOP-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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20 - 48	CHF.1.407	CHF.2.83
50 - 198	CHF.1.26	CHF.2.53
200 - 998	CHF.1.019	CHF.2.04
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RS Best.-Nr.:: 687-364
Herst. Teile-Nr.:: HP8KF7HTB1
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp	Zweifach N
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	HSOP-8
	Serie	HP8KF7H
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	62mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	26W
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	20nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.1mm
	Breite	6.1 mm
	Länge	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp Zweifach N
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße HSOP-8
	Serie HP8KF7H
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 62mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 26W
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.1mm
	Breite 6.1 mm
	Länge 6.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - HP8KF7HTB1

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um die Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen effizient zu verwalten. Mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 62 mΩ und einem kompakten HSOP8-Gehäuse gewährleistet dieser MOSFET ein hervorragendes Wärmemanagement und hohe Zuverlässigkeit. Seine Spezifikationen unterstützen einen kontinuierlichen Ablassstrom von ±18,5 A und machen ihn ideal für anspruchsvolle Aufgaben wie Motorantriebe. Mit seiner hervorragenden Energieeffizienz und der Einhaltung der RoHS- und halogenfreien Normen lässt er sich nahtlos in fortschrittliche elektronische Designs integrieren und gewährleistet gleichzeitig Umweltverträglichkeit.

Optimiert für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, was die Gesamteffizienz erhöht

Kompaktes HSOP8-Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs

Ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Motorantriebe

Erfüllt die RoHS- und halogenfreien Anforderungen für Umweltsicherheit

Hohe Dauer- und Impulsstromwerte gewährleisten Zuverlässigkeit unter Last

Ausgezeichnetes Wärmemanagement mit niedrigen Wärmewiderstandswerten

Entwickelt für Hochleistungs-Schaltanwendungen mit minimaler Verzögerung

Stabiler Betrieb über einen weiten Temperaturbereich von -55 bis +150 °C

ROHM HP8KF7H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 26 W, 8-Pin HSOP-8

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